石英晶體中電氣參數(shù)介紹

晶體通常指的是石英晶體（Quartz Crystal），它具有穩(wěn)定的諧振頻率特性。晶體里面的晶片材料是由石英晶棒切割而來，主要分子材料是二氧化硅（SiO2）。“壓電效應(yīng)”是石英晶片所具有的物理特性，所謂的壓電效應(yīng)，是指該物質(zhì)因彈性形變而使內(nèi)部電子向表面移動(dòng)，形成交變的電場(chǎng)，再由交變的電場(chǎng)而產(chǎn)生機(jī)械形變的反復(fù)過程。晶體在諧振時(shí)，就是壓電效應(yīng)的作用，在電路中，發(fā)生固有頻率的諧振，起到穩(wěn)定頻率的作用。

石英晶體主要參數(shù)

標(biāo)稱頻率[Nominal Frequency]

晶體振蕩產(chǎn)生的周期性信號(hào)的頻率，晶體的頻率大小取決于晶片厚度和晶片尺寸，晶片越薄，振蕩頻率就越高，單位用KHz、MHz表示。

振蕩模式[Oscillation Mode]

基頻AT1、泛音AT3

封裝[Holder Type]

晶體的尺寸大小,提供SMD1612/2016/2520/3225/5032/6035/7050等片式封裝，插件分為HC-49S和假貼片HC-49SMD等。

常溫頻差[Frequency Tolerance]

在某一指定負(fù)載電容下的諧振頻率，與標(biāo)稱頻率在25℃±2℃的溫度下的頻率偏差,單位用ppm表示。

激勵(lì)功率[Drive Level]

在電路穩(wěn)定工作中提供給晶體的驅(qū)動(dòng)功率值，單位用μW 表示。

負(fù)載電容[Load Capacitance]

相對(duì)于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測(cè)試的頻率也不一樣，在制作或使用時(shí)必須指定負(fù)載電容，單位通常用pF表示。

諧振電阻[Effective Resistance]

串聯(lián)共振頻率下的石英晶體的電阻值，單位用Ω表示。

靜電容[Shunt Capacitance]

靜態(tài)電容C0。對(duì)同一頻率點(diǎn)來說其值大小與電極尺寸設(shè)計(jì)有關(guān)，成正比關(guān)系，單位用pF表示。

激勵(lì)功率依賴性[Drive Level Dependency]

MaxR-MinR 在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大電阻與最小電阻之間的差值，單位用Ω表示。

溫度頻差[Temperature Drift]

晶振在不同溫度下諧振工作穩(wěn)定的頻率與25℃下的最大偏差值。這一特性是衡量晶振在溫度變化時(shí)頻率變化程度的指標(biāo)，較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對(duì)于一些對(duì)頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測(cè)量等，這是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。單位用ppm表示。

寄生響應(yīng)[Spurious response]

在指定頻率范圍內(nèi)，用12.5Ω測(cè)試座量測(cè)時(shí),寄生振蕩相較于主振點(diǎn)之間振幅差值。單位用bB表示。

工作溫度范圍[Operating temperature Range]

石英晶體在規(guī)定的公差內(nèi)工作的溫度范圍。通常有-40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃、-40℃～＋125℃。

存儲(chǔ)溫度范圍[Storage Temperature Range]

晶振在未使用情況下儲(chǔ)存的溫度范圍。通常在-55℃～＋125℃。

絕緣阻抗[Insulation Resistance]

晶體功能腳與金屬外殼之間的電阻值。單位用Ω表示。

年老化率[Aging]

在所有其它條件都恒定不變的情況下，晶振的頻率仍會(huì)隨著時(shí)間推移而發(fā)生的漂移，這種長期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時(shí)間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。